台積電與日本IDM廠瑞薩電子（Renesas）昨（28）日共同宣布，雙方已經簽署協議，擴大在微控制器（MCU）技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程，以生產應用於下一世代汽車以及家電等消費性產品的微控制器。

　至於瑞薩是否出售鶴岡12吋廠予台積電，雙方仍不予評論。而瑞薩對於外傳可能進行超過1萬名員工大規模裁員消息，則表示組織改革是必須進行的事，但目前為止並無決定任何具體計畫。

　瑞薩是在去年底與台積電達成90奈米合作協議，瑞薩將採用台積電90奈米嵌入式快閃記憶體製程生產微控制器，此次則延伸合作內容，未來瑞薩將委託台積電生產40奈米微控制器，至於28奈米製程則列為未來的合作方向。

　此外，瑞薩及台積電也決定建立MCU平台與製造所需的先進技術，結合瑞薩電子支援高可靠性以及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）製程技術，以及台積電先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）製程及靈活的產能調度，未來台積電除了替瑞薩代工，也將可利用授權方式，提供MONOS製程平台給其它IC設計廠或IDM廠使用。

　瑞薩去年底成功開發的40奈米MCU晶片，已經在瑞薩那珂12吋廠中試產，目前製程尚未與台積電CMOS製程整合，不過，在雙方達成合作協議後，瑞薩及台積電將開始進行製程整合，未來瑞薩MCU晶片除了在自有晶圓廠生產，也將委由台積電在竹科12吋廠Fab12中生產。

　瑞薩MCU事業本部長岩元伸一表示，根據去年歷經日本大地震衝擊多條生產線與客戶業務之後所學習到的經驗，瑞薩已經加快晶圓廠網路（Fab Network）的佈建，成為公司營運持續計畫（BCP）之中的一環。

　而藉由此次的合作，雙方也有共識，將建造一個能夠為客戶穩定供貨的架構，瑞薩身為微控制器市場的領導廠商，亦將推動市場成長，為MCU打造一個設計生態環境。

　根據瑞薩以及台積電間的協議，採用90奈米嵌入式快閃記憶體製程MCU將在明年量產，40奈米MCU在2014年量產，而瑞薩總產能的委外代工比重，也將由去年的15％，至2016年增加一倍至30％。




轉載自中時電子新聞