宜特除錯技術突破 達28奈米
日期 2012/2/14 9:53:48 | 新聞分類: 每日半導體新聞
| 半導體檢測業者宜特科技（3289）昨日宣佈，經歷長達2年的研究測試，宜特IC電路除錯技術大躍升，今年正式突破技術門檻，不僅替客戶完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層（Metal 1）。
宜特表示，28奈米是現今市場上各大廠欲跨入的製程，此製程可為IC產品帶來更高的效能，更低的能耗，與更輕薄短小的尺寸，相當符合現今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。
以晶圓代工廠來說，台積電去年底率先量產28奈米製程產品，並預估今年28奈米製程產品將達到整體營收的10％，聯電也開始為大客戶進行28奈米基頻晶片及ARM應用處理器代工準備。此外，三星及格羅方德（GlobalFoundries）在28奈米製程佈局上，今年下半年將可順利開出產能。
宜特2010年就開始針對28奈米IC線路修改進行佈局，針對最底層Metal 1的極小線路作修改測試，並從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用宜特獨有的低阻值連線技術，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真。宜特已建置完成40奈米與28奈米線路修改的實驗室，可針對前後段FIB技術進行線路修改。
轉載自中時電子新聞
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